Un equipo de investigadores de la Universidad de Fudan en Shanghái ha anunciado un avance revolucionario en el campo de la memoria digital, presentando la memoria Flash más rápida del mundo. Este nuevo desarrollo, conocido como PoX (Phase-change Oxide), podría marcar un antes y un después en la computación, especialmente en aplicaciones de inteligencia artificial (IA). La memoria PoX es capaz de realizar operaciones de escritura en apenas 400 picosegundos, lo que equivale a 0,0000000004 segundos, significativamente más veloz que las memorias actuales. Para contextualizar este avance, es aproximadamente 300.000 millones de veces más rápida que un parpadeo humano, que dura alrededor de 300 milisegundos.
Este desarrollo evoca un emocionante futuro para la tecnología, pues las memorias empleadas hoy en día, como SRAM y DRAM, aunque rápidas, son volátiles y pierden información al apagarse. Por otro lado, las memorias NAND Flash, comunes en dispositivos SSD y USB, son no volátiles, pero sus velocidades son considerablemente menores, entre microsegundos y milisegundos, limitando su uso en aplicaciones de IA que requieren tiempos de respuesta instantáneos.
El chip PoX logra lo mejor de ambos mundos: combina velocidad ultrarrápida con no volatilidad, desafiando el récord anterior de escritura de 2 millones de operaciones por segundo. Este rendimiento podría convertirla en la solución definitiva para los cuellos de botella que actualmente afectan los sistemas de IA, donde el movimiento de grandes volúmenes de datos consume la mayoría de los recursos energéticos.
El éxito de PoX se debe en gran medida a la innovación material y arquitectónica. Abandonando el silicio como base, el equipo del profesor Zhou Peng optó por el grafeno bidimensional tipo Dirac, reconocido por su excepcional capacidad para el transporte de carga. Además, ajustaron la arquitectura interna mediante la optimización de la longitud gaussiana del canal de memoria, permitiendo un fenómeno denominado superinyección 2D, que facilita el desplazamiento rápido y libre de electrones hacia la capa de almacenamiento.
Aunque todavía se desconocen los detalles específicos de su futura comercialización, parece evidente que la memoria PoX estará inicialmente destinada al ámbito de la IA. Gracias a su bajo consumo energético y extraordinaria rapidez de procesamiento, podría revolucionar tanto el entrenamiento como la implementación de modelos de IA complejos.
Liu Chunsen, investigador del Laboratorio Estatal Clave de Chips y Sistemas Integrados en Fudan, explicó que la velocidad alcanzada supera totalmente las barreras tecnológicas actuales en almacenamiento. Además, destacó el uso de algoritmos de IA para optimizar el proceso, lo que ha sido crucial para lograr este importante avance.
Este hito posiciona a China en la cúspide de la tecnología de memorias, un sector crucial para el desarrollo tecnológico y la competitividad en inteligencia artificial. Aunque su implementación comercial está aún en proceso, el potencial impacto de PoX en el aumento del rendimiento computacional es irrefutable. Esta nueva memoria podría ser el motor de una nueva era en la computación moderna, redefiniendo los límites de lo que conocemos hoy día.
