A medida que el calendario avanza hacia finales de 2025, la ciudad china de Hefei se ha convertido en un nuevo epicentro en la intensificada guerra por el dominio de los chips de memoria. ChangXin Memory Technologies (CXMT), otrora un actor casi anónimo fuera de las fronteras chinas, ha emergido como el principal productor de DRAM en China y uno de los competidores que más vertiginosamente acorta la distancia con los gigantes del sector: Samsung, SK Hynix y Micron.
Este avance se ha materializado recientemente en la producción de chips DDR5 de 16 Gb con una celda efectiva de 16 nm, desafiando las restricciones que los Estados Unidos intentaron imponer en su esfuerzo por mantener a la industria china bajo una restricción tecnológica.
Desde que CXMT inició la producción masiva de DRAM en 2020, su crecimiento ha sido meteórico. En apenas cinco años, ha logrado capturar cerca del 5% del mercado global de DRAM en 2024 y alrededor del 6% a comienzos de 2025, impulsado por una rápida expansión de sus plantas y un significativo respaldo del Estado. Aunque aún se encuentra detrás de sus rivales en términos de tecnología punta, la capacidad instalada de CXMT se sitúa ya entre el 10% y el 13% de la producción global, permitiéndole influir en los precios, especialmente en las gamas de entrada y en las memorias “legacy”.
El avance de CXMT ha creado preocupación entre las filas de Seúl y Boise, transformándola de un simple aspirante a un competidor formidable. La firma ha conseguido sobrepasar la línea roja establecida por los controles de exportación estadounidenses, que han tratado de congelar la industria DRAM china en procesos por debajo de los 18 nm. No obstante, a través de una combinación de innovación doméstica en I+D, procesos de patrones múltiples y reutilización de equipos, CXMT ha logrado posicionarse con una celda de memoria de 16 nm, reduciendo la brecha tecnológica con los líderes de la industria a unos tres años, lejos de los 5-7 años de retardo que sufría previamente.
Con la entrada en juego del DDR5-8000 y los módulos LPDDR5X, CXMT está mostrando su capacidad no solo para desarrollar, sino también para producir de manera sostenible estas tecnologías, obteniendo rendimientos que han mejorado considerablemente a lo largo del año. Su apuesta en el sector móvil también ha dado frutos, presentando una alternativa local robusta para los fabricantes de smartphones chinos.
En paralelo, la compañía está preparando su incursión en el mercado de HBM, una memoria esencial para alimentadores de inteligencia artificial y supercomputación. Con planes para empezar la producción en masa de HBM3 en 2026, apoyada por una nueva planta de empaquetado avanzado cerca de Shanghái, CXMT busca sostener un ecosistema chino autosuficiente en IA.
Las sanciones y listas negras impuestas por Estados Unidos han intentado sofocar el crecimiento de CXMT, pero estas medidas han precipitado una apuesta china redoblada por la autonomía tecnológica. Este impulso por la autosuficiencia ha llevado a un aumento en la inversión pública y ha fomentado el desarrollo de tecnologías y equipos locales.
El futuro de CXMT parece estar ligado a una ambiciosa salida a Bolsa en Shanghái en 2026, con la cual planea captar miles de millones para la financiación de nuevas instalaciones y líneas de producto avanzadas. Esto consolidaría su posición como pilar del mercado chino de semiconductores, aunque también aumenta la presión sobre la compañía para entregar resultados financieros sostenibles en un terreno extremadamente volátil.
Los avances hasta ahora demuestran que CXMT está cerrando la brecha con sus competidores globales más rápido de lo anticipado. Sin embargo, aún enfrenta desafíos significativos, como la dependencia de litografía EUV y la optimización de sus procesos para productos premium. A medida que la década progresa, CXMT podría no solo lograr cuotas de mercado importantes en DRAM, sino también impactar en los precios globales y en el equilibrio del poder tecnológico en esta era de inteligencia artificial.
