GlobalFoundries (GF) ha firmado un acuerdo de licencia tecnológica con TSMC para adoptar tecnologías de nitruro de galio (GaN) de 650 V y 80 V. Este movimiento busca impulsar la nueva generación de dispositivos de potencia destinados a centros de datos, entornos industriales y el sector automotriz. La producción de estos avanzados dispositivos se llevará a cabo en la planta de GF ubicada en Burlington, Vermont, fortaleciendo así la capacidad de GaN en los Estados Unidos para clientes a nivel global.
La importancia de esta alianza radica en la creciente limitación del silicio CMOS clásico en aplicaciones de potencia, donde el GaN se destaca como la opción preferida para mejorar la eficiencia, densidad y compacidad. Este material avanzado reduce las pérdidas de conmutación y permite arquitecturas más compactas con mayor densidad de potencia, características fundamentales para los centros de datos y vehículos eléctricos. Con esta licencia, GF pretende acortar los tiempos de desarrollo y llevar a producción dispositivos GaN listos para aplicaciones críticas.
El acuerdo abarca procesos de GaN de alta (650 V) y baja/mediana tensión (80 V), orientados a vehículos eléctricos, energías renovables, cargadores rápidos y fuentes de energía de alto rendimiento para TI. Se espera que el desarrollo comience a inicios de 2026, con la producción planificada para finales de ese mismo año.
Téa Williams, vicepresidenta sénior del negocio de potencia en GF, destaca que esta tecnología probada permitirá acelerar el desarrollo de la próxima generación de chips GaN, proporcionando soluciones diferenciadas para aplicaciones críticas en diversos sectores.
Este acuerdo es estratégico, reflejando una tendencia en el sector hacia acuerdos de licencia que combinan propiedad intelectual de procesos consolidados con fabricación cercana al cliente. Esto permitirá un «time-to-market» más corto, al partir de una base tecnológica madura, y un suministro local en EE. UU., lo cual es valioso para aplicaciones que valoran una cadena de suministro regional.
Para TSMC, el acuerdo monetiza su propiedad intelectual GaN y extiende su presencia en un mercado con una creciente demanda de potencia impulsada por la inteligencia artificial, vehículos eléctricos y la electrificación industrial.
Aunque no se han revelado detalles específicos sobre el tamaño o rendimiento de los chips, se anticipa que los productos GaN ofrecerán transistores para Power Factor Correction (PFC) y conversores aislados en centros de datos, infraestructura de carga y renovables. Además, los dispositivos de 80 V están destinados a aplicaciones de DC-DC de alta eficiencia en servidores, motores eléctricos y electrónica de potencia en vehículos y robótica.
En el contexto actual, donde la inteligencia artificial valoriza cada vatio disponible, la adopción de GaN promete menos pérdidas, menos calor y mayor densidad energética, permitiendo racks más potentes sin aumentar el espacio necesario. Para los operadores de centros de datos, esto puede traducirse en un mejor rendimiento energético y mayor capacidad para manejar densidades térmicas crecientes.
En el sector automotriz, el GaN se utilizará en cargadores integrados, conversión auxiliar y, progresivamente, en la inversión de etapas intermedias en vehículos eléctricos, contribuyendo a aligerar el peso y mejorar la autonomía mediante mayor eficiencia.
Sin embargo, como toda transferencia de proceso, la calificación en una nueva línea conlleva desafíos, como el rendimiento y la confiabilidad a largo plazo. Si el calendario se sigue, los primeros productos comerciales deberían estar disponibles a finales de 2026.
