El 7 de agosto de 2024, Imec, un renombrado líder global en investigación e innovación en el ámbito de la nanoelectrónica y las tecnologías digitales, ha revelado importantes resultados en el avance de la litografía EUV de Alta NA (Numerical Aperture). Estos progresos se han concretado en el laboratorio conjunto ASML-imec de Litografía EUV de Alta NA en Veldhoven, Países Bajos.
La investigación, llevada a cabo por Imec, ha logrado imprimir con éxito estructuras lógicas y de DRAM utilizando una sola exposición mediante el escáner EUV de Alta NA, conocido como TWINSCAN EXE:5000. Entre los logros se incluyen estructuras lógicas con líneas metálicas densas de 9.5 nm, equivalentes a un paso de 19 nm, y vías aleatorias con una distancia centro a centro de 30 nm. También se han obtenido características 2D con un paso de 22 nm y un diseño específico para DRAM con un patrón P32 nm, todo ello en una única exposición.
Estos hallazgos confirman la capacidad del ecosistema para habilitar litografía EUV de Alta NA de alta resolución con una sola exposición. Los avances en esta tecnología son esenciales para la continuada miniaturización de los dispositivos lógicos y de memoria, lo que permitirá diseños más complejos y la reducción de costos y complejidad en los procesos de fabricación.
Steven Scheer, vicepresidente senior de tecnologías y sistemas de computación en Imec, comentó: “Estamos emocionados de demostrar la primera capacidad de impresión de lógica y memoria habilitada por High NA en el laboratorio conjunto de ASML-imec, como una validación inicial de las aplicaciones industriales. Los resultados muestran el potencial único de la EUV de Alta NA para permitir la impresión de características 2D agresivamente escaladas, mejorando la flexibilidad del diseño y reduciendo el costo y la complejidad del patrón.”
Por su parte, Luc Van den hove, presidente y CEO de Imec, señaló: “Los resultados confirman la capacidad de resolución de la litografía EUV de Alta NA, orientada a capas metálicas con paso sub 20 nm en una sola exposición. La EUV de Alta NA será fundamental para continuar la escalabilidad dimensional de las tecnologías lógicas y de memoria, uno de los pilares clave para avanzar en las hojas de ruta hacia la era de los ‘ångstroms’. Estas demostraciones tempranas solo fueron posibles gracias al establecimiento del laboratorio conjunto ASML-imec, que permite a nuestros socios acelerar la introducción de la litografía High NA en la fabricación.”
La colaboración entre Imec y ASML, junto con sus socios, ha implicado un exhaustivo trabajo preparatorio. Este incluye la preparación de pilas de obleas dedicadas, resinas avanzadas, capas inferiores y fotomáscaras, así como la transferencia de procesos base de EUV de Alta NA al escáner. La introducción de estos avances representa un paso significativo hacia la integración de la litografía EUV de Alta NA en la producción a gran escala, impulsando el futuro de la tecnología de semiconductores.
