Infineon Technologies AG, la destacada firma alemana de semiconductores, ha anunciado que su plan para fabricar semiconductores de nitruro de galio (GaN) en obleas de 300 milímetros avanza conforme a lo planeado, con la intención de ofrecer las primeras muestras a clientes para el cuarto trimestre de 2025. Este anuncio fortalece su posición como líder global en el mercado de componentes de potencia avanzada.
La noticia llega en un momento crucial tras el anuncio de TSMC, su principal competidor, sobre el cese de su línea de producción de GaN y la clausura de sus instalaciones en los próximos dos años. Este giro del mercado posiciona a Infineon como el primer fabricante en integrar GaN de 300 mm con éxito en una infraestructura de producción a gran escala.
El uso de obleas de 300 mm representa un considerable avance técnico y económico. Según Infineon, este cambio permitirá producir hasta 2,3 veces más chips por oblea, lo que incrementa la eficiencia y ayuda a alcanzar una paridad de costos con productos de silicio.
Johannes Schoiswohl, director de la línea de negocio GaN de Infineon, destacó que “la fabricación a escala completa de GaN en 300 mm nos permitirá ofrecer más valor a nuestros clientes rápidamente, avanzando hacia la competitividad en costos frente al silicio”.
Infineon domina las tres tecnologías clave de semiconductores de potencia: silicio (Si), carburo de silicio (SiC) y nitruro de galio (GaN). Este control del proceso productivo, desde el diseño hasta el producto final, permite ofrecer soluciones personalizadas y escalables para aplicaciones en sectores emergentes como la automoción eléctrica, sistemas de energía para IA, robótica industrial, inversores solares y cargadores rápidos.
Destacando su alta densidad de potencia y eficiencia energética, el GaN se encuentra en el centro de un mercado en crecimiento. Según el informe del Yole Group, el mercado de semiconductores de potencia GaN crecerá un 36 % anual, alcanzando un volumen de 2.500 millones de dólares para 2030. En este contexto, Infineon ha lanzado más de 40 nuevos productos basados en GaN en el último año.
La retirada de TSMC del mercado GaN y su enfoque en procesadores lógicos de alto margen confiere a Infineon una ventaja competitiva como proveedor preferente para clientes que buscan soluciones confiables y coste-efectivas.
Con esta estrategia, Infineon se asegura un rol protagónico en la transición hacia dispositivos más eficientes y sostenibles, convirtiéndose en un referente global en la era post-silicio, en un mercado que abarca desde el hogar inteligente hasta el vehículo eléctrico y centros de datos de IA.
