La industria de semiconductores continúa su avanzada carrera para reducir el tamaño de los transistores, un esfuerzo vital para mejorar el rendimiento y la eficiencia de chips destinados a centros de datos y aplicaciones de Inteligencia Artificial. Esta competencia se desarrolla en dos frentes: la litografía más precisa y la exploración de nuevas arquitecturas y materiales que puedan superar las limitaciones del silicio.
Intel Foundry ha compartido los avances en dos proyectos interconectados, cuyo objetivo principal es convertir la innovación de laboratorio en procesos manufacturables a gran escala. En colaboración con ASML, Intel ha logrado avanzar en las pruebas de aceptación del TWINSCAN EXE:5200B, un equipo de litografía EUV de Alta Apertura Numérica (High NA EUV) que representa un paso importante hacia la producción masiva de chips avanzados.
La introducción de este nuevo equipo no solo promete imprimir patrones más finos, sino también mejorar la productividad, la repetibilidad y el control, aspectos cruciales para una fábrica moderna. Con la capacidad de producir hasta 175 obleas por hora y un overlay de 0,7 nanómetros, el EXE:5200B redefine las métricas que importan en la producción, asegurando precisión en la alineación entre capas litográficas. Estos avances son el resultado de una larga trayectoria de innovación que comenzó con la llegada del primer equipo comercial High NA a la fábrica de I+D de Intel en Oregón en 2023.
El EXE:5200B destaca por tres áreas de innovación: una fuente EUV de mayor potencia para mejorar la exposición, una nueva arquitectura de “wafer stocker” que optimiza la logística física en la fabricación avanzada y un control de alineación más estricto que asegura la precisión del sistema en condiciones reales. Estas mejoras ofrecen a los diseñadores reglas de diseño más flexibles, simplifican los procesos y prometen mejores yields y una rampa más rápida hacia la producción estable.
Sin embargo, el avance tecnológico no se detiene aquí. Intel también explora el segundo frente: el desarrollo de transistores 2D. Estos materiales, como los dicalcogenuros de metales de transición (TMD), ofrecen la promesa de superar las limitaciones del silicio cuando las dimensiones se reduzcan más allá de lo que este puede soportar. Lo innovador aquí es la integración manufacturable en obleas de 300 mm, donde Intel e Imec han logrado importantes avances en contactos source/drain y módulos de gate stack para transistores 2DFETs.
El enfoque en la «manufacturabilidad» es clave, ya que la real innovación no solo radica en el descubrimiento de nuevos materiales, sino también en la capacidad de integrar esos avances en procesos de producción viables a escala comercial. La colaboración abierta con actores como ASML e Imec permite a Intel acelerar sus curvas de aprendizaje, compartir conocimientos y enfrentarse a las restricciones de diseño de una manera más realista.
La industria de semiconductores busca un futuro donde la tecnología avanzada impulsa aplicaciones críticas en Inteligencia Artificial y sistemas de alto rendimiento. Este avance no será el resultado de un solo descubrimiento, sino de la confluencia de herramientas más avanzadas y nuevos materiales que puedan fabricarse a escala, estableciendo las bases para las próximas generaciones de microchips.
