En el competitivo panorama de la Inteligencia Artificial (IA), la batalla no solo se libra en el ámbito de las Unidades de Procesamiento Gráfico (GPU). Ahora, el verdadero desafío y cuello de botella radica en la memoria: su capacidad de transferencia por segundo, la proximidad al procesador y el consumo energético que implica mantener un flujo continuo de datos. En 2026, con centros de datos en constante expansión que ponen en jaque a las redes eléctricas y cadenas de suministro, la atención se centra en un componente que, hasta ahora, parecía un mero insumo básico: la DRAM.
El mercado de la memoria está experimentando una transformación. Firmas como TrendForce han constatado un aumento considerable en las previsiones de precios para la memoria convencional, un fenómeno alimentado por la creciente demanda de infraestructura para IA. Ante este escenario, los fabricantes se han visto obligados a priorizar productos más rentables como la memoria de alto ancho de banda (HBM), lo que ha desencadenado escasez de DRAM y ha instado a fabricantes de PCs a buscar alternativas de suministro en China.
En este contexto, surge un movimiento estratégico: SoftBank, a través de su filial SAIMEMORY, ha unido fuerzas con Intel para desarrollar y comercializar una innovadora tecnología de memoria conocida como Z-Angle Memory (ZAM). Esta memoria promete combinar alta capacidad, gran ancho de banda y bajo consumo energético, enfocándose en cargas de trabajo de entrenamiento e inferencia de modelos a gran escala. El acuerdo, firmado el 2 de febrero de 2026, establece un calendario ambicioso: prototipos listos para el año fiscal 2027 y su comercialización prevista para 2029.
El diseño innovador de ZAM se basa en una arquitectura que explota el «eje Z», utilizando un apilamiento vertical para aumentar capacidad y rendimiento sin ampliar el tamaño físico. Esta arquitectura busca superar las limitaciones actuales de HBM, que aunque es fundamental para la IA debido a su alto ancho de banda, presenta restricciones en capacidad y coste. La clave radica en desarrollar memorias que no obliguen a escoger entre ancho de banda y capacidad.
Intel aporta al acuerdo su experiencia en la tecnología Next Generation DRAM Bonding (NGDB), desarrollada dentro del programa Advanced Memory Technology (AMT) del Departamento de Energía de EE.UU. Este enfoque pretende ofrecer mejoras significativas en eficiencia energética, intentando cerrar la brecha entre las prestaciones de HBM y la DRAM convencional mediante el uso de apilamiento vertical.
La ambición no se limita a la mera innovación técnica. Japón, con la participación de SoftBank, busca recuperar su influencia en la producción de memoria y disminuir su dependencia tecnológica. ZAM, si llega a buen puerto, no solo representaría un avance técnico, sino también un resurgir estratégico en un mercado donde la memoria se ha vuelto una cuestión política, industrial y geopolítica crucial.
Sin embargo, ZAM todavía es una promesa. Su transición de proyecto a producto de fabricación masiva enfrenta desafíos inherentes a la industria de semiconductores: rendimiento por oblea, disipación térmica en apilamientos densos, complejidad en el empaquetado, y estandarización. El mensaje del mercado es contundente: la IA se juega en el terreno de las infraestructuras, y la memoria es el obstáculo donde más se puede tropezar. Aquí es donde nacen nuevas oportunidades y alianzas insospechadas.
