Micron Technology ha dado un paso adelante en el ámbito de la tecnología de memoria al convertirse en la primera empresa en la industria en enviar muestras de su nueva generación de memoria DRAM basada en el nodo 1γ (1-gamma). Este avance no solo marca un hito significativo para la compañía, sino también para las necesidades computacionales del futuro.
La nueva memoria DRAM de sexta generación, perteneciente a la clase de 10 nanómetros, se basa en la sólida historia de innovación de Micron que comenzó con los nodos 1α (1-alpha) y 1β (1-beta). Estas tecnologías han preparado el terreno para impulsar plataformas futuras que abarcan desde la computación en la nube hasta aplicaciones industriales, dispositivos de consumo y tecnologías de inteligencia artificial (IA) en el borde, como PCs habilitadas para IA, smartphones y automóviles.
El nodo DRAM 1γ se introducirá primero en el mercado a través de su memoria DDR5 de 16Gb, para posteriormente estar presente en toda la gama de productos de memoria de Micron. Diseñada para alcanzar velocidades de hasta 9200 megatransferencias por segundo (MT/s), la nueva DDR5 de 16 Gb promete un incremento de velocidad del 15% y una reducción del consumo energético superior al 20% en comparación con su predecesor.
La transición hacia el nodo DRAM 1γ aborda varios desafíos críticos que enfrentan los consumidores actuales. Uno de ellos es el rendimiento mejorado, que permitirá soportar el crecimiento de la demanda en computación, desde grandes centros de datos hasta dispositivos en el borde, atendiendo los requerimientos de futuras cargas de trabajo impulsadas por IA. Además, el ahorro de energía es significativo: la tecnología de puertas metálicas de alta-K de próxima generación reduce el consumo energético en más de un 20%, mejorando así los perfiles térmicos en los dispositivos. Otro beneficio es la mayor densidad de bits, posibilitada por la utilización de la litografía en ultravioleta extremo (EUV), que incrementa la cantidad de bits por oblea en más del 30% respecto a generaciones anteriores.
Scott DeBoer, vicepresidente ejecutivo y director de tecnología y productos de Micron, destacó que las innovaciones DRAM, junto con el uso estratégico de la litografía EUV, fortalecen el liderazgo de la empresa en productos de memoria de vanguardia diseñados para impulsar el ecosistema de IA.
El impacto de estos avances se hará sentir en diferentes frentes. En centros de datos, las soluciones de memoria DDR5 basadas en 1γ permitirán un rendimiento hasta un 15% superior con una eficiencia energética notable. En el ámbito de IA en el borde, las DRAM de baja potencia amplificarán el ahorro energético al mismo tiempo que incrementan el ancho de banda, mejorando la experiencia del usuario. Los PCs con IA también se beneficiarán del nodo 1γ, al aumentar el rendimiento y prolongar la vida útil de la batería. En el sector móvil, la LPDDR5X 1γ promete potenciar experiencias de IA excepcionales. Y en el campo automotriz, esta misma tecnología aumentará la capacidad y el rendimiento, alcanzando velocidades de hasta 9600 MT/s.
Micron ya ha iniciado colaboraciones con importantes socios como AMD e Intel para la validación de su memoria DDR5 1γ, siendo reconocidos los beneficios en potencia y densidad que ofrecen estas mejoras. Asimismo, la compañía ha lanzado un Programa de Habilitación Tecnológica (TEP) de DDR5, otorgando acceso anticipado a las especificaciones técnicas y proporcionado soporte para el diseño y desarrollo de plataformas de la próxima generación. Este avance representa un prometedor futuro en el que la tecnología de memoria satisface las crecientes demandas de un mundo cada vez más impulsado por la inteligencia artificial.
