Samsung Electronics ha dado un paso significativo hacia el futuro al inaugurar oficialmente su nuevo complejo de investigación y desarrollo de semiconductores, NRD-K, en el campus de Giheung, Corea del Sur. Este evento, que marcó un momento crucial en la evolución de la compañía, contó con la presencia de aproximadamente 100 participantes, entre ellos proveedores y clientes, que se unieron para celebrar este avance.
La construcción del NRD-K comenzó en 2022, y está diseñado para ser un punto neurálgico en la investigación de memoria, LSI de sistema y fundición de semiconductores de Samsung. Con una extensión de 109,000 metros cuadrados, se proyecta que el complejo recibirá una inversión de 20 billones de wones surcoreanos para el año 2030. La instalación incluirá una línea dedicada a I+D que comenzará sus operaciones en el verano de 2025, proporcionando un entorno integrado para la investigación y verificación de productos.
Young Hyun Jun, vicepresidente y director de la División de Soluciones para Dispositivos de Samsung Electronics, destacó que el NRD-K permitirá a la empresa acelerar su desarrollo tecnológico, creando un ciclo virtuoso de innovación y producción en masa. «En Giheung, donde comenzó la historia de 50 años de Samsung en semiconductores, estamos sentando las bases para un futuro que abarca los próximos 100 años,» afirmó Jun.
En apoyo a la colaboración industrial, Park Gwang-Sun, jefe de Applied Materials Korea, subrayó la importancia de las asociaciones beneficiosas entre empresas. «Estamos comprometidos a acelerar la innovación colaborando estrechamente con Samsung Electronics para impulsar el crecimiento futuro del sector de semiconductores,» declaró Gwang-Sun.
El campus Giheung tiene un legado significativo, siendo el lugar donde se desarrolló el primer DRAM de 64 megabits del mundo en 1992, un hito que estableció el liderazgo de Samsung en el ámbito de los semiconductores. El NRD-K planea continuar esta tradición de innovación con tecnología de vanguardia, incluyendo litografía extrema ultravioleta (EUV) y equipamiento para desarrollar semiconductores avanzados como DRAM 3D y V-NAND.
En su esfuerzo continuo por liderar el sector, Samsung ha registrado una inversión histórica en I+D de 8.87 billones de wones en el tercer trimestre de este año. La compañía sigue empujando los límites del desarrollo tecnológico para asegurar su competitividad en áreas clave de futuro, incluyendo el empaquetado avanzado para la producción de memoria de alta capacidad. Este nuevo complejo refuerza el compromiso de Samsung con la innovación y su visión para el futuro de la tecnología de semiconductores.
