Samsung Electronics ha progresado significativamente en el desarrollo de su memoria de alto ancho de banda, al entrar en la fase de diseño backend del base die de su HBM4E personalizada, la séptima generación de este componente. Este logro señala que la empresa se encuentra a medio camino hacia el tape-out, una etapa crucial en el desarrollo de microchips.
El base die, ubicado en la base del apilado HBM, se ha convertido en un componente clave en el suministro de memoria para la inteligencia artificial (IA). Este elemento no solo coordina las lecturas y escrituras hacia la DRAM, sino que también implementa mecanismos de corrección de errores y contribuye a la estabilidad y el comportamiento térmico del sistema. En un mercado donde los clientes exigen cada vez más funciones lógicas específicas integradas en la memoria, el base die se ha transformado en un campo de batalla esencial para la diferenciación de productos.
La incursión en la fase backend representa un avance hacia la implementación física del diseño del chip. En esta etapa, se realiza la colocación, ruteo, cierre de temporización, integridad de señal y verificación física. Una vez completado, el diseño se envía para el tape-out en la fundición, reduciendo así el margen para cambios económicos y aumentando la precisión en la ejecución.
Samsung ha definido recientemente una nueva hoja de ruta para sus HBM, adelantando calendarios y reforzando su estrategia de HBM personalizada. Esta planificación incluye la producción en volumen de HBM4 prevista para este año, HBM4E para 2027 y HBM5 para 2029. La empresa ha dispuesto dos equipos a partir de HBM4, uno para HBM estándar y otro para HBM personalizada, con un aumento en el personal de diseño enfocado en alianzas con grandes tecnológicas como Google, Meta y NVIDIA.
El co-diseño con la fundición es clave para la transición hacia memorias personalizadas que ofrecen más que densidad o velocidad nominal, integrando también la lógica del base die en la plataforma de cómputo. Este enfoque colaborativo es crucial por su impacto en la compatibilidad, integridad de interfaces I/O y verificación de la fiabilidad del sistema.
El ciclo de desarrollo de un diseño HBM suele durar unos diez meses, con la etapa backend constituyendo alrededor del 60-70% del esfuerzo total, según las proporciones citadas. Se estima que el diseño del base die HBM4E personalizado podría finalizar hacia mayo o junio, aunque la producción y calificación dependerán de factores adicionales.
Samsung no está solo en esta carrera; empresas como SK hynix y Micron también se encuentran en fases similares de desarrollo de HBM4E personalizado. En tanto, el gigante surcoreano participa en la estandarización de HBM5 a través de JEDEC, mientras armoniza sus desarrollos de productos con las demandas específicas de sus clientes. Desde HBM4, la integración de funciones como control térmico y capacidades de corrección de errores en el base die ha aumentado la complejidad y la personalización requerida en estos módulos de memoria.
En resumen, Samsung está afianzando su posición en el competitivo mercado de memorias HBM, adaptándose rápidamente a la demanda de productos personalizados que integren capacidades avanzadas para satisfacer las necesidades crecientes de procesamiento en el ámbito de la IA.
