Samsung Electronics, reconocido líder mundial en tecnología de memoria avanzada, ha revelado sus últimas innovaciones en el campo de la memoria AI durante el evento Future of Memory and Storage (FMS) 2026 celebrado en Santa Clara, California. La compañía sorprendió a los asistentes con un emocionante despliegue de su portafolio de memoria AI y una detallada hoja de ruta tecnológica. Entre las innovaciones destacadas figuran los modelos conceptuales de zHBM y zNAND-O, así como la avanzada tecnología V10 BV-NAND, que asombra con más de 400 capas.
En el acto inaugural del evento, los ejecutivos de Samsung, Jin-Yub Lee y Kyungryun Kim, compartieron su visión sobre las estructuras 3D de próxima generación en soluciones de memoria y almacenamiento. Bajo el título «Impulsando la ola de la revolución AI: Innovaciones 3D en arquitectura de memoria y almacenamiento», los expertos subrayaron el compromiso de Samsung con el crecimiento del rendimiento de los sistemas AI, al tiempo que se mejora la eficiencia energética para satisfacer la creciente demanda de computación de alto rendimiento e infraestructura AI.
Una de las presentaciones estelares fue el modelo conceptual de zHBM. Esta innovadora arquitectura de memoria apila verticalmente HBM justo por encima de los aceleradores AI, lo que acorta la distancia de recorrido de los datos y mejora tanto el ancho de banda como la eficiencia energética. El nuevo sistema promete ofrecer alrededor de ocho veces el rendimiento del HBM5 y aumentar en más de diez veces la densidad de memoria en comparación con sus antecesores.
En otra parte del evento, se presentó el zNAND-O, una solución de NAND de alto rendimiento que mezcla eficiencia espacial con un mejorado rendimiento de entrada/salida y baja latencia, características óptimas para aplicaciones de AI en tiempo real.
Además, Samsung lanzó oficialmente su V10 BV-NAND, que incrementa la densidad de memoria en un 58% respecto a generaciones previas y mejora notablemente el rendimiento de lectura y escritura. Este progreso significativo llega 13 años después de la introducción de su primera tecnología V-NAND, reafirmando el compromiso del gigante tecnológico con la innovación constante en el ámbito del NAND.
La empresa también delineó su futuro en memoria y almacenamiento, presentando tecnologías vanguardistas como HBM4E y LPDDR5X-PIM, que permiten el procesamiento interno de los datos, optimizando así la eficiencia en su transferencia. Con ello, Samsung se consolida como el único fabricante integrado que ofrece soluciones completas para la infraestructura AI, asegurando a sus clientes un camino sólido y eficiente para implementar soluciones de semiconductores AI de manera diferenciada en el mercado.
El evento dejó claro que Samsung no sólo está a la vanguardia de la tecnología de memoria, sino que también está listo para liderar la próxima ola de innovación en la infraestructura AI global.
