Samsung Electronics ha dado un golpe maestro al mercado tecnológico con el anuncio del inicio de la producción masiva de su revolucionario HBM4, marcando un hito como la primera empresa en introducir productos comerciales en este ámbito. Este avance no solo refuerza el liderazgo de Samsung en el ámbito de la memoria HBM4, sino que también establece un nuevo estándar de excelencia en la industria.
El gigante surcoreano ha empleado su avanzada tecnología DRAM de 10 nanómetros de sexta generación para garantizar un rendimiento estable y de vanguardia desde el inicio. Sang Joon Hwang, vicepresidente ejecutivo y responsable del desarrollo de memoria en Samsung, destacó que la compañía ha decidido ir más allá de los diseños tradicionales, adoptando nodos avanzados como el 1c DRAM y un proceso lógico de 4 nanómetros para el HBM4. Esta audaz decisión otorga a Samsung una ventaja competitiva significativa, respondiendo a la creciente demanda de sus clientes.
El impresionante HBM4 de Samsung ofrece una velocidad de procesamiento sobresaliente de 11.7 gigabits por segundo, superando en un 46% el estándar industrial de 8Gbps. Esta mejora no solo optimiza el desempeño en comparación con su predecesor, el HBM3E, sino que permite además un incremento adicional de hasta 13Gbps, mitigando eficazmente los cuellos de botella de datos en modelos de inteligencia artificial cada vez más complejos. La memoria HBM4 alcanza un ancho de banda total de hasta 3.3 terabytes por segundo, un salto de 2.7 veces respecto a su antecesor.
Además, Samsung ha incorporado soluciones de diseño de bajo consumo energético para abordar los desafíos térmicos que plantea un aumento en el número de pines, logrando mejorar la eficiencia energética en un 40%. Estas optimizaciones, que incluyen procesamiento de baja tensión y mayor resistencia térmica, prometen un rendimiento confiable en los centros de datos del futuro.
Consciente de la creciente demanda, Samsung ya ha comenzado a expandir su capacidad de producción para afrontar la previsión de que las ventas de HBM se tripliquen en 2026 respecto a 2025. Se espera que la primera muestra de HBM4E esté disponible en la segunda mitad de 2026, con muestras personalizadas para clientes a partir de 2027.
A través de esta ambiciosa innovación, Samsung Electronics no solo reafirma su posición dominante en el mercado de la memoria, sino que también proporciona a sus clientes la capacidad de maximizar el rendimiento de sus GPU, optimizando de manera efectiva sus costos operativos totales. Con la mirada puesta en el futuro, Samsung continúa liderando el camino hacia un mundo cada vez más interconectado y eficiente.
