En el dinámico escenario de la tecnología inteligente, la pelea por el liderazgo ya no se centra únicamente en el poder de procesamiento sino en la memoria, su capacidad, velocidad y eficiencia energética. Aprovechando esta coyuntura, la empresa surcoreana SK hynix ha decidido presentar su visión del futuro en la feria CES 2026, destacando potenciales avances en la memoria para facilitar el despliegue de inteligencia artificial (IA).
SK hynix, apostando por el lema “Innovative AI, Sustainable tomorrow”, ha abierto un stand en el Venetian Expo de Las Vegas desde el 6 hasta el 9 de enero de 2026. Con el objetivo de exhibir las innovaciones que impulsarán la sostenibilidad dentro de los centros de datos, la compañía se centra en cómo maximizar el rendimiento por cada vatio consumido, un tema crucial en un contexto donde los costos de operación y la eficiencia son protagonistas.
En el epicentro de su exhibición, SK hynix ha revelado su memoria HBM4 con 48 GB distribuidos en 16 capas. Este desarrollo supone un avance notable respecto a la HBM4 de 36 GB y 12 capas, mostrando una velocidad de hasta 11,7 Gbps. La HBM, que se ha convertido en el componente vital para los aceleradores de IA, demuestra la dirección que toman las empresas de tecnología: ofrecer mayor capacidad y velocidad en busca de soportar modelos cada vez más complejos.
Aunque SK hynix no ha fijado una fecha de lanzamiento para la HBM4 de 48 GB, su intención es clara: alinear el desarrollo de productos con las exigencias futuras de los clientes. En contraste, su HBM3E de 36 GB ya promete revolucionar el mercado en el año actual, consolidando la presencia de SK hynix como proveedor clave en la infraestructura de IA.
Otra de las innovaciones destacadas es el módulo SOCAMM2, enfocado en el bajo consumo energético en servidores de IA, reflejando una tendencia hacia la exigencia de memorias no solo rápidas sino también eficientes y escalables. En la misma línea, sus avances en LPDDR6 prometen optimizar la IA en dispositivos, mejorando tanto la velocidad como el consumo energético.
SK hynix no sólo ha presentado DRAM, sino también ha allanado el camino hacia el futuro con su memoria NAND QLC de 321 capas y 2 Tb, destinada a eSSD de ultra alta capacidad. Este lanzamiento subraya la importancia del almacenamiento masivo y eficiente en entornos de IA, donde el manejo de grandes volúmenes de datos es crucial.
La compañía además propone innovaciones como cHBM, donde parte del trabajo computacional se integra directamente en la memoria. Este enfoque, junto con otras novedades, busca reimaginar el sistema completo de IA, moviéndose hacia una era donde cada componente del hardware, incluido el almacenamiento, contribuye activamente al procesamiento y no se limita a ser un recurso pasivo.
Este giro estratégico hacia una relación más estrecha con los clientes fue enfatizado por Justin Kim, presidente de AI Infra en SK hynix, quien resaltó la rápida evolución en las demandas técnicas, señalando una disposición a colaborar y desarrollar soluciones distintivas que creen valor añadido en el ecosistema de IA.
En CES 2026, SK hynix no solo muestra productos, sino establece un diálogo sobre el futuro inmediato del hardware. Es un recordatorio de que la próxima ola de avances en inteligencia artificial no dependerá únicamente del poder de las GPUs, sino de una arquitectura que armonice memoria, interconexión y almacenamiento al unísono.
