SK hynix, uno de los gigantes de la industria de semiconductores, ha dado un paso significativo en la carrera por la densidad de memoria, al iniciar la producción en masa de la primera memoria NAND QLC de 321 capas. Este avance se enfoca principalmente en los centros de datos para inteligencia artificial, donde la eficiencia energética y la capacidad son cruciales.
El nuevo dispositivo, que ofrece 2 terabits (Tb) por chip, duplica la capacidad de sus predecesores. Esta innovadora tecnología promete revolucionar el mercado con SSDs de ultra alta capacidad, que comenzarán a aparecer en PCs antes de extenderse al sector empresarial y los smartphones con tecnología UFS.
La memoria NAND se clasifica por el número de bits que puede almacenar cada celda. Desde SLC (1 bit) hasta QLC (4 bits), la industria busca constantemente aumentar la densidad manteniendo un equilibrio entre coste y fiabilidad. La nueva memoria QLC de SK hynix no solo incrementa la densidad, sino que también introduce técnicas para mitigar los inconvenientes tradicionales de esta tecnología.
Uno de los desafíos de la NAND QLC de alta capacidad ha sido la pérdida de rendimiento en operaciones simultáneas. Para abordarlo, SK hynix ha aumentado el número de «planes» de 4 a 6, mejorando significativamente la velocidad de transferencia y la eficiencia energética. Este avance es crucial para los entornos de inteligencia artificial, donde el consumo energético es un factor esencial.
La estrategia de SK hynix es clara. Inicialmente, la tecnología se implementará en SSDs para PC, seguido de un despliegue en el sector enterprise y finalmente en smartphones premium. El objetivo es asegurar una presencia sólida en el mercado de servidores de inteligencia artificial, utilizando su innovadora tecnología 32DP (32 Die Package).
La revolución en la inteligencia artificial ha llevado la infraestructura de almacenamiento al límite. Según IDC, los data lakes de IA representan actualmente el 25% del crecimiento anual de almacenamiento empresarial. En este contexto, la combinación de alta densidad y eficiencia energética de SK hynix ofrece una ventaja competitiva, especialmente frente a rivales como Micron y Samsung.
La compañía tiene la ambición de ser un proveedor integral de memoria para inteligencia artificial, combinando DRAM de alto rendimiento, NAND de ultra capacidad y empaquetados 3D avanzados. “Con el inicio de la producción en masa hemos reforzado significativamente nuestro portafolio”, afirmó Jeong Woopyo, jefe de Desarrollo de NAND en SK hynix.
La innovación no se detiene aquí. Se espera que la industria avance hacia las 500 capas antes de 2030, llevando la memoria NAND a un nuevo nivel con PLC (5 bits por celda) y técnicas de empaquetado 3D. No obstante, este crecimiento plantea retos en cuanto a fiabilidad, latencia y coste.
Con su nuevo producto, SK hynix no solo establece un récord técnico: dirige el futuro del almacenamiento en la era de la inteligencia artificial. En un mercado donde la memoria es tan esencial como la potencia de cálculo, esta innovación podría ser clave para la escalabilidad y sostenibilidad de los centros de datos del futuro. La empresa avanza decidida a liderar este espacio, enfrentando los desafíos tecnológicos, económicos y medioambientales que el futuro demanda.
