La memoria NAND ha revivido como un tema central en el debate tecnológico, impulsada por el auge de la Inteligencia Artificial y la demanda del mercado de mayores capacidades por euro sin comprometer la fiabilidad. En respuesta a este desafío, SK hynix ha presentado una ambiciosa hoja de ruta tecnológica en foros técnicos, dividiéndose en tres áreas clave: el desarrollo de NAND de 5 bits por celda (PLC) con un diseño innovador llamado Multi-Site Cell (MSC), la investigación de FeNAND 3D orientada a la computación en memoria, y una actualización de proceso más “industrial” conocida como CTI, que ya ha sido demostrada en un nodo de 176 capas.
El desafío central del almacenamiento de más bits en una sola celda es la necesidad de distinguir entre más estados de voltaje, lo cual se traduce en una mayor complejidad técnica. El paso de TCS (3 bits) a QLS (4 bits) ha resultado en SSD más densos y económicos, pero el siguiente peldaño, PLC (5 bits por celda), introduce complicaciones al requerir 32 estados de voltaje distintos para funcionar, lo que plantea serios retos de fabricación y fiabilidad.
Para superar estas barreras, SK hynix ha propuesto el enfoque MSC, que “divide” el comportamiento de la celda para reducir la cantidad de umbrales de voltaje que se deben gestionar directamente. En lugar de los 32 estados necesarios en el diseño tradicional de PLC, MSC permite trabajar con 6 estados básicos que, en combinación, logran mapear los estados necesarios de manera eficiente. Esta innovación reduce la complejidad eléctrica sin sacrificar la densidad lógica.
En un terreno menos inmediato para el consumidor, pero potencialmente transformador para el sector de los centros de datos, se encuentra la investigación de FeNAND 3D, un tipo de NAND orientado a la computación en memoria (CIM). Este enfoque busca minimizar el “coste” energético y temporal del movimiento de datos entre memoria y procesador. Según SK hynix, resultados preliminares han mostrado un aumento en la precisión y eficiencia computacional que podrían hacer de esta memoria una herramienta clave en el manejo y procesamiento de grandes volúmenes de datos, especialmente relevante en aplicaciones de inteligencia artificial.
Por último, la tecnología CTI, aunque menos llamativa, es crucial para mejorar la estabilidad y rendimiento del NAND 3D al optimizar la distribución del voltaje umbral y la retención de carga. Implementada ya en dispositivos de 176 capas, CTI muestra mejoras significativas en el tiempo de lectura y la retención de datos, sugiriendo un camino concreto hacia la producción.
Cada una de estas innovaciones responde a distintas necesidades del mercado: desde aumentar la densidad de almacenamiento, mejorar las arquitecturas para demandas energéticas de IA, hasta estabilizar la producción actual de NAND. Mientras el PLC promete una densidad extrema a un costo competitivo, la computación en memoria promete eficiencia energética, y CTI mantiene la viabilidad industrial. La llegada de estas tecnologías dependerá de la capacidad de SK hynix para demostrar no solo su funcionalidad, sino también su rentabilidad y fiabilidad a escala de producción. El año 2026 podría marcar el inicio de una nueva era en almacenamiento si estas innovaciones logran madurar con éxito.
