China ha logrado un hito significativo en su avanzadilla hacia la autosuficiencia tecnológica con el desarrollo de un avanzado láser de luz ultravioleta profunda (DUV) de 193 nanómetros. Este avance se produce en un momento crucial para la industria tecnológica del gigante asiático, que busca reducir su dependencia de equipos de litografía europeos y japoneses para la fabricación de semiconductores. El nuevo láser chino, de diseño compacto y de estado sólido, no solo rivaliza en capacidad con los tradicionales láseres excímeros, sino que incorpora un innovador diseño optimizado para mejorar procesos en áreas tan variadas como la inspección óptica, la comunicación cuántica y la manipulación microscópica de la materia.
Encargada de liderar este desarrollo, la Academia de Ciencias de China ha conseguido un logro notable al generar un haz de vórtice en longitudes de onda cortas, algo que hasta la fecha había sido un desafío técnico considerable. Este éxito ha sido posible gracias a una combinación de técnicas avanzadas, incluyendo la mezcla de frecuencias y el uso de cristales no lineales LBO, además de un diseño que permite integrar el sistema en plataformas industriales compactas.
La estructura subyacente del láser se basa en un potente sistema de 1.030 nm, capaz de dividir su output en dos caminos. Uno de ellos se transforma en un láser de 258 nm a través de armónicos, mientras que el otro alimenta un amplificador óptico paramétrico (OPA) para producir luz a 1.553 nm. La combinación de ambos caminos resulta en el deseado haz de 193 nm, que ofrece una potencia media de 70 milivatios y un ancho de línea inferior a 880 MHz, lo que proporciona una alta precisión.
Este avance no solo se destaca por la precisión y eficiencia del láser, sino también por la significativa reducción de costes en comparación con los sistemas excímeros convencionales. Además, evita la dependencia de cristales exóticos como el KBBF, lo que había sido un obstáculo para la escalabilidad industrial. El nuevo sistema posibilita la producción de potentes haces UV y, con mejoras adicionales en los componentes, podría alcanzar niveles de potencia superiores a los vatios.
La innovación sitúa a China en una posición ventajosa para lograr la independencia tecnológica en la producción de semiconductores avanzados, especialmente en áreas de nodos maduros. Las mejoras en la potencia del láser y su aplicación en comunicaciones cuánticas y litografía avanzada podrían transformar el panorama global de la fabricación de chips.
Los expertos en el campo señalan que con continuas mejoras, este sistema podría servir como base para futuras fuentes de luz EUV, lo que consolidaría el liderazgo de China en el competido mercado de semiconductores. Este desarrollo marca, sin duda, un importante paso adelante en la carrera tecnológica global, con China a la cabeza de la innovación en el sector.
