Rusia ha dado un paso significativo en su búsqueda de autonomía tecnológica con el anuncio de la fabricación de su primer escáner litográfico nacional, capaz de producir chips a 350 nanómetros (nm). Aunque este avance puede parecer modesto en comparación con los nodos más avanzados disponibles actualmente, representa un hito crucial para el país en su intento por aumentar su independencia en el ámbito de los semiconductores, un sector de importancia estratégica.
El anuncio fue realizado por el alcalde de Moscú, Sergei Sobyanin, quien no solo destacó la relevancia industrial de este logro, sino también su dimensión geopolítica. Sobyanin enfatizó que menos de diez países en el mundo poseen la capacidad de fabricar este tipo de equipos semiconductores, y ahora Rusia se encuentra entre ellos. El alcalde también compartió la primera imagen del escáner, subrayando su importancia.
El escáner litográfico de 350 nm es un diseño completamente ruso, ensamblado en el país. A diferencia de otros equipos que aún dependen de lámparas de mercurio, este modelo utiliza láseres de estado sólido, lo que le confiere una mayor eficiencia y precisión, además de ser más duradero y menos dañino para el medio ambiente. La máquina está diseñada para trabajar con obleas de hasta 200 mm de diámetro y puede cubrir un área de exposición de 22 x 22 mm, lo que se adapta a las necesidades de múltiples aplicaciones industriales como la automoción, la energía y las telecomunicaciones, donde no es necesario utilizar procesos avanzados de menor tamaño como los de 7 nm.
Este desarrollo no es un esfuerzo aislado. Según las autoridades rusas, hay planes para lanzar una máquina capaz de trabajar en el nodo de 130 nm para 2026, con la vista puesta en alcanzar los 65 nm. Rusia ya tiene experiencia en esta última tecnología, pero aún depende de equipos importados para su producción. Las plantas de desarrollo activas en Moscú, Zelenograd, San Petersburgo y Novosibirsk respaldan estos planes, indicando un compromiso serio hacia la nacionalización total de la fabricación de chips en el país.
Un aspecto intrigante de este avance es la posible colaboración con China, que también está desarrollando su tecnología litográfica con fuentes láser de estado sólido para litografía DUV (ultravioleta profunda), aspirando incluso a los 3 nm. Aunque no hay confirmación oficial, las similitudes tecnológicas sugieren un potencial para el diseño compartido o la cooperación estratégica entre estas naciones que buscan reducir su dependencia de las tecnologías occidentales.
El camino hacia la autosuficiencia tecnológica en el campo de los semiconductores es complejo y está dominado por empresas de gran renombre como ASML en Europa y Canon y Nikon en Asia. En este contexto, el movimiento de Rusia refuerza su posición en la carrera global por la soberanía tecnológica, a pesar de estar rezagado en términos de miniaturización. Mientras que los nodos avanzados de 3 nm y 5 nm dominan la industria, el avance ruso de 350 nm representa una marcha firme hacia la independencia industrial. Con el nodo de 130 nm en el horizonte, Rusia está decidida a seguir avanzando en esta trayectoria.
