En un anuncio que marca un importante avance en la tecnología de interconexiones ópticas, STMicroelectronics, un líder global en semiconductores, ha desvelado su última generación de tecnologías, apuntando a mejorar la interconexión óptica en centros de datos y clústeres de Inteligencia Artificial (IA). Estas innovaciones, basadas en tecnologías de silicio fotónico y BiCMOS, prometen interconexiones de alta velocidad de 800Gb/s y 1.6Tb/s, abriendo nuevas posibilidades en rendimiento y eficiencia energética.
El rápido crecimiento de la computación basada en IA ha intensificado los desafíos en cuanto a capacidad de cómputo, memoria, y conexiones. Con este telón de fondo, STMicroelectronics está desarrollando una hoja de ruta en colaboración con socios claves de la industria. El enfoque se centra en crear ópticas enchufables más eficientes energéticamente y en la siguiente generación de interconexiones de GPU para clústeres de IA. La implementación de estas innovaciones se iniciará en la segunda mitad de 2025.
Los centros de datos de hiperescala, que dependen de cientos de miles de transceptores ópticos para facilitar la comunicación interna, se beneficiarán enormemente de estas nuevas tecnologías. La integración de múltiples componentes complejos en un único chip reducirá costos y aumentará la eficiencia, ofreciendo conectividad óptica de ultra alta velocidad y bajo consumo de energía, un elemento crucial para el crecimiento sostenido de la IA.
La colaboración con Amazon Web Services (AWS) es un pilar central en este desarrollo. Nafea Bshara, vicepresidente de AWS, subraya la importancia de la tecnología de silicio fotónico, la cual facilitará la interconexión de diversas cargas de trabajo, incluidas aquellas basadas en IA. Este tipo de colaboración promete desatar nuevas innovaciones en el mercado óptico y de IA.
Las perspectivas del mercado son positivas. Según el Dr. Vladimir Kozlov, CEO de LightCounting, se pronostica que la industria de ópticas enchufables, valorada en 7.000 millones de dólares para 2024, crecerá a una tasa anual compuesta del 23% entre 2025 y 2030, superando los 24.000 millones al final del período. Se anticipa que los transceptores basados en moduladores de silicio fotónico aumenten su cuota de mercado del 30% al 60% en los próximos seis años.
Las tecnologías de silicio fotónico y BiCMOS de STMicroelectronics se fabricarán en su planta de Crolles, Francia, utilizando procesos de 300 mm. Esta decisión no solo refuerza la autonomía tecnológica de Europa, sino que también asegura un suministro local de componentes esenciales para la industria de centros de datos e IA. Mediante alianzas estratégicas, ST aspira a convertirse en un proveedor líder de soluciones avanzadas para centros de datos e IA, sentando las bases para una revolución en interconexión óptica y eficiencia energética en la gestión de datos.
