En el emocionante evento Direct Connect 2025 de Intel, la compañía estadounidense mostró cómo planea recuperar su posición dominante en la industria de semiconductores. Bajo el liderazgo de Lip-Bu Tan y a través de su filial Intel Foundry Services (IFS), Intel presentó avances tecnológicos que prometen dejar atrás a competidores como TSMC.
El nodo Intel 14A, protagonista del evento, hace uso de la litografía EUV High-NA, representando un hito importante en la evolución de la tecnología del silicio. Este avance prevé mejoras sustanciales en rendimiento y eficiencia para 2027, cuando los productos finales se lancen al mercado.
Con RibbonFET 2 y PowerDirect, los nuevos nodos prometen reducir el consumo entre un 25% y 35%, aumentar el rendimiento entre un 15% y 20%, y mejorar la densidad en un 30% respecto a Intel 18A. Estos avances colocan a Intel en una posición ventajosa frente a TSMC, que no planea utilizar EUV High-NA a corto plazo.
Las actualizaciones en el nodo 18A, con versiones 18A-P y 18A-PT, también destacan. Mientras que el 18A-P mejora el rendimiento por vatio en un 8%, el 18A-PT, esperado para 2028, integrará interconexiones 3D y tecnología TSV.
Intel confirmó la disponibilidad de cuatro nodos avanzados hasta 2028. Esta estrategia pretende posicionar a la compañía como líder tecnológico frente a TSMC y como un competidor fuerte contra la industria china. La doble ambición de Intel abarca tanto la vanguardia tecnológica como la producción en masa de procesos rentables.
La falta de implementación de EUV High-NA por parte de TSMC podría ponerla en desventaja a partir de 2027, cuando Intel planea obtener un 38% más de rendimiento y un incremento del 60% en densidad de transistores.
Conclusión: Intel se ha transformado de un actor rezagado a una aspirante seria al liderazgo tecnológico en semiconductores. Si sigue su hoja de ruta, Intel 14A podría significar una nueva era en microelectrónica, impactando significativamente en diversas industrias. La batalla por el silicio ha comenzado, y esta vez, Intel tiene el impulso de su lado.
