En el vertiginoso mundo de la tecnología, Samsung Electronics ha anunciado un nuevo hito en la carrera por la memoria de alto ancho de banda (HBM). La compañía surcoreana ha revelado sus planes para el desarrollo de HBM4E, estableciendo un ambicioso objetivo de 3,25 TB/s de ancho de banda, con la producción en masa programada para 2027. Este anuncio se realizó durante el OCP Global Summit 2025 en San José.
Esta nueva memoria promete ofrecer una velocidad por pin de al menos 13 Gbps, utilizando 2.048 pines de E/S para alcanzar un rendimiento 2,5 veces superior a su predecesora, la HBM3E. Con esta iniciativa, Samsung busca no solo recuperar su liderazgo en el mercado, sino también satisfacer las demandas de las GPU de inteligencia artificial (IA) y otros aceleradores que impulsan la industria actual.
El desarrollo de HBM4E marca un nuevo capítulo en un ámbito donde SK hynix actualmente domina el mercado con su HBM3E, y donde Micron también ha cobrado relevancia al proporcionar muestras de 11 Gbps a clientes de alto perfil como NVIDIA. La competencia es feroz, y Samsung está apostando por la velocidad y la eficiencia para volver a liderar.
La importancia de este avance tecnológico es significativa. La creciente demanda de aplicaciones de IA generativa y entrenamiento de modelos de lenguaje extenso (LLM) ha convertido el ancho de banda de memoria en un factor crítico. Un mayor ancho de banda se traduce en tiempos de espera reducidos y menores latencias, optimizando así el rendimiento de los centros de datos. Además, si la energía por bit disminuye, el impacto en el coste total de propiedad es positivo: más rendimiento por vatio y menor coste operativo.
El movimiento de Samsung también incluye avances en otras áreas. Durante el mismo evento, la empresa presentó su LPDDR6, una evolución que mejora la eficiencia en un 20% respecto a su predecesora LPDDR5X y que es clave para dispositivos móviles y soluciones de IA en el borde. Asimismo, su fundición a 2 nm, preparada para finales de 2025, señala un importante logro tecnológico.
La hoja de ruta de Samsung revela que la producción de HBM4E se alinea con los futuros lanzamientos de GPU, lo que podría catalizar una transformación en las capacidades de procesamiento de IA para finales de esta década.
En el competitivo paisaje de las memorias HBM, el liderazgo no depende únicamente de llegar primero, sino de hacerlo de manera sostenida y con calidad. La batalla entre SK hynix, Micron y Samsung seguirá definiendo el futuro del mercado, donde cada avance técnico es un mensaje al entorno global sobre quién marca el paso en innovación.
La llegada de HBM4E es solo el inicio de una serie de desarrollos que Samsung buscará consolidar en los próximos años, estableciendo un marco tecnológico que no solo promete mejoras en velocidad y eficiencia, sino también la capacidad de redefinir el futuro de la computación de alto rendimiento.
