En un panorama donde la informática tradicional ha estado dominada por las limitaciones de la memoria volátil y no volátil, un proyecto innovador procedente del Reino Unido podría cambiar las reglas del juego. Se trata de UltraRAM, una tecnología en desarrollo por investigadores de las universidades de Lancaster y Warwick que promete combinar lo mejor de ambos mundos: la persistencia de la memoria flash con la rapidez y eficiencia de la DRAM.
UltraRAM aspira a revolucionar el sector con un único chip capaz de retener la información al apagarse, mientras mantiene la velocidad de la RAM. Los prototipos iniciales, fabricados sobre silicio, han mostrado una durabilidad de hasta 1.000 años, superando en 1.000 veces la resistencia de la memoria flash actual. Esta tecnología podría resolver problemas de longevidad y consumo energético asociados con los dispositivos actuales.
La innovación radica en una estructura conocida como Triple Barrier Resonant Tunneling (TBRT), que utiliza complejas capas materiales para controlar eficientemente el flujo de electrones. Esto permite que UltraRAM funcione con energías de conmutación ultrabajas, manteniendo los datos de manera no destructiva y fiable por largos períodos.
Sin embargo, a pesar de los resultados prometedores, UltraRAM sigue en fase de investigación. Los prototipos todavía son micrométricos, y el próximo desafío es avanzar a una escala nanométrica. Con la fundación de Quinas en 2023, el objetivo es llevar esta tecnología a un nivel comercial, enfrentando retos significativos para integrarse en la industria de semiconductores a gran escala.
A diferencia de sus primeras versiones basadas en arseniuro de galio, UltraRAM sobre silicio ha superado barreras de incompatibilidad material, logrando mejores resultados. Este avance ha sido reconocido con premiaciones en importantes foros de la industria.
Las aplicaciones de UltraRAM son vastas y podrían transformar desde ordenadores y móviles hasta centros de datos y dispositivos del Internet de las Cosas. Si alcanza la producción masiva, podría resolver el problema de la separación entre RAM y almacenamiento, ofreciendo mayor eficiencia y fiabilidad.
No obstante, su llegada al mercado no es inminente. La memoria DRAM y flash han sido perfeccionadas durante décadas, y UltraRAM debe probar su viabilidad a gran escala y a precios competitivos. Especialistas estiman un plazo de entre 5 y 10 años para que pueda estar presente en dispositivos comerciales, siempre que supere los obstáculos presentes.
En resumen, UltraRAM representa una promesa fascinante para el futuro de la informática, pero su éxito dependerá de su capacidad de adaptarse a la producción industrial y de competir con las tecnologías establecidas.
