Samsung Electronics, líder mundial en tecnología de memoria avanzada, ha dado un paso significativo en la industria al anunciar hoy el inicio de la producción en masa del primer NAND de celda de cuatro niveles (QLC) de un terabit (Tb) de 9ª generación vertical (V-NAND). Este avance sigue a la producción en masa del NAND triple (TLC) de 9ª generación, iniciada en abril de este año, consolidando así su posición dominante en el mercado de flash NAND de alta capacidad y alto rendimiento.
«Kicking off the successful mass production of QLC 9th-generation V-NAND just four months after the TLC version allows us to offer a full lineup of advanced SSD solutions that address the needs for the AI era”, declaró SungHoi Hur, Vicepresidente Ejecutivo y Jefe de Producto Flash y Tecnología en Samsung Electronics. «A medida que el mercado de SSD empresariales muestra un rápido crecimiento con una mayor demanda de aplicaciones de IA, continuaremos consolidando nuestro liderazgo en el segmento mediante nuestras tecnologías QLC y TLC de 9ª generación».
Samsung tiene planes ambiciosos para ampliar las aplicaciones de su NAND QLC de 9ª generación, inicialmente con productos de consumo y progresando hacia dispositivos de almacenamiento flash universal móvil (UFS), PCs y SSDs para servidores, y proveedores de servicios en la nube. Este desarrollo promete traer consigo importantes innovaciones tecnológicas.
Uno de los avances más notables es la tecnología inigualable de Channel Hole Etching, que ha permitido a la compañía alcanzar el mayor número de capas en la industria con una estructura de doble pila. Esta optimización en la disposición de las celdas y los circuitos periféricos ha incrementado la densidad de bits en aproximadamente un 86% en comparación con la generación anterior de QLC V-NAND.
Adicionalmente, la tecnología Designed Mold ajusta el espaciamiento de las líneas de palabra (WL) para asegurar la uniformidad y optimización de las características de las celdas en todas las capas, mejorando la retención de datos en aproximadamente un 20% respecto a las versiones anteriores, lo que aumenta la fiabilidad del producto.
Otro avance significativo es la implementación de la tecnología Predictive Program, que anticipa y controla los cambios en el estado de las celdas para minimizar acciones innecesarias. Gracias a esta innovación, el rendimiento de escritura se ha duplicado y la velocidad de entrada y salida de datos ha mejorado en un 60%.
Finalmente, el diseño de bajo consumo implementado en esta nueva tecnología disminuye el consumo de energía en un 30% durante la lectura de datos y en un 50% durante la escritura. Esta técnica reduce la tensión en las celdas NAND y minimiza el consumo de energía al activar únicamente las líneas de bits necesarias.
Con estos avances, Samsung continúa demostrando su capacidad para innovar y liderar en el ámbito de la memoria flash, proporcionando soluciones de almacenamiento más eficientes y de mayor rendimiento, adaptadas a las necesidades emergentes en la era de la inteligencia artificial.
vía: Sala de Prensa de Samsung.
