Samsung Electronics, reconocido líder mundial en tecnología de memoria avanzada, ha dado un paso adelante al anunciar el inicio de la producción en masa de su V-NAND de novena generación con tecnología de celda de cuatro niveles (QLC) de un terabit (Tb). Este avance promete revolucionar la industria de dispositivos de almacenamiento, marcando un antes y un después en el desarrollo de unidades de estado sólido (SSD) y otros dispositivos tecnológicos en la era de la inteligencia artificial.
La nueva V-NAND V9 QLC de Samsung representa un avance significativo en términos de almacenamiento, ofreciendo una densidad sin precedentes. La compañía ha logrado la mayor densidad de bits de la industria, aproximadamente un 86% superior a la de la generación anterior de V-NAND QLC. Además, el rendimiento ha mejorado notablemente: la velocidad de escritura se ha duplicado y la velocidad de entrada/salida de datos ha aumentado en un 60%. No menos importante es la eficiencia energética, con un consumo de energía en lectura y escritura que ha disminuido aproximadamente un 30% y un 50%, respectivamente.
Estos avances no habrían sido posibles sin la implementación de cuatro tecnologías clave. El «Channel Hole Etching» permite alcanzar el mayor número de capas de la industria con una estructura de doble pila. El «Designed Mold» mejora el rendimiento de retención de datos en aproximadamente un 20% en comparación con versiones anteriores. La tecnología «Predictive Program» anticipa y controla los cambios de estado de las celdas para minimizar acciones innecesarias, mientras que el «Low-Power Design» reduce el voltaje que impulsa las celdas NAND, minimizando el consumo de energía.
SungHoi Hur, Vicepresidente Ejecutivo y Jefe de Productos y Tecnología Flash en Samsung Electronics, destacó la importancia de este logro: «El inicio exitoso de la producción en masa de V-NAND V9 QLC solo cuatro meses después de la versión TLC nos permite ofrecer una línea completa de soluciones SSD avanzadas que abordan las necesidades de la era de la IA». Con estas innovaciones, Samsung planea expandir las aplicaciones de la V-NAND V9 QLC, comenzando con productos de consumo de marca y extendiéndose a almacenamiento flash universal (UFS) móvil, PC y SSD para servidores, incluyendo proveedores de servicios en la nube.
De cara al futuro, el mercado de SSD empresariales muestra un rápido crecimiento impulsado por la demanda de aplicaciones de IA. Samsung se posiciona para consolidar su liderazgo en este segmento a través de sus V-NAND V9 QLC y TLC. Esta nueva generación de tecnología de almacenamiento no solo promete un aumento significativo en la capacidad, sino también mejoras en la velocidad y eficiencia de los dispositivos, marcando un hito importante en la evolución del almacenamiento digital en la era de la inteligencia artificial.
