SK hynix ha dado un paso decisivo en la carrera tecnológica al anunciar la implementación del primer sistema de litografía EUV de alta apertura numérica, conocido como High NA EUV, para producción en masa en su planta M16 en Icheon, Corea del Sur. Este avance, liderado por el modelo TWINSCAN EXE:5200B de ASML, representa un hito en la industria mundial de semiconductores, permitiendo la creación de patrones más finos y una densidad de transistores sin precedente, cruciales para las futuras generaciones de memorias DRAM y aplicaciones de inteligencia artificial.
La litografía EUV utiliza longitudes de onda ultracortas de luz ultravioleta para grabar patrones en obleas de silicio. La innovación del sistema reside en su apertura numérica (NA); mientras que las máquinas EUV actuales operan con un NA de 0,33, el EXE:5200B la eleva a 0,55, mejorando la precisión óptica en un 40%. Esto se traduce en transistores 1,7 veces más pequeños, densidades 2,9 veces superiores, eficiencia energética mejorada y un rendimiento notablemente superior.
Como segundo mayor fabricante mundial de memorias, SK hynix busca afianzar su posición en el segmento de memoria para inteligencia artificial y computación de vanguardia. Cha Seon Yong, líder del departamento de I+D de la compañía, expresó que esta infraestructura es clave para realizar su visión tecnológica, consolidando su liderazgo con tecnología de punta.
Este logro es fruto de una estrecha colaboración con ASML, el proveedor neerlandés de equipos de litografía y único fabricante mundial de tecnología EUV. Según Kim Byeong-Chan, responsable del equipo de clientes SK hynix-Japón en ASML, la nueva tecnología High NA EUV es crucial para abrir el próximo capítulo de la industria de semiconductores y fortalecer la innovación en memorias de generación avanzada.
Desde 2021, SK hynix ha incrementado su uso de EUV en la fabricación de memorias avanzadas, comenzando con el nodo 1anm (la cuarta generación de los 10 nm). Esta integración del High NA EUV responde a la creciente necesidad de la industria de alcanzar densidades extremas, manteniéndose a la par con los desarrollos de competidores como Samsung y TSMC, que tienen en sus planes producir chips de 2 nanómetros para 2027.
El impacto del nuevo High NA EUV en el mercado se refleja en una mayor productividad, ofreciendo más chips DRAM por oblea y reduciendo costes. Además, se prevé un notable incremento en el rendimiento de productos destinados a aplicaciones de inteligencia artificial, big data y cloud computing. SK hynix no solo mejora su competitividad tecnológica sino que también refuerza la resiliencia de su cadena de suministro en un contexto mundial cada vez más complejo.
La introducción del sistema High NA EUV no solo posiciona a SK hynix al frente de la vanguardia tecnológica, sino que también sienta las bases para una nueva era en la fabricación de memorias DRAM, creada para satisfacer la creciente demanda de la inteligencia artificial y las exigencias de la computación del futuro.
